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题名:
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半导体器件中的辐射效应 ban dao ti qi jian zhong de fu she xiao ying / (加)克日什托夫·印纽斯基(Krzysztof Iniewski)编著 , 刘超铭[等]译 |
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ISBN:
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978-7-121-42552-3 价格： CNY128.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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12,315页 图，照片 26cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 电子工业出版社 出版日期： 2021 |
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内容提要:
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本书主要介绍各类先进电子元器件在辐射(例如航天，核物理等)环境下的性能和效应，从不同角度分析半导体器件、电路和系统在受到辐射时的退化效应的主要特性。 |
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主题词:
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半导体器件 辐射效应 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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主要责任者:
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印纽斯基 yin niu si ji 编著 |
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次要责任者:
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刘超铭 liu chao ming 译 |
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附注:
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工信学术出版基金 |
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索书号:
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2 |